近日，青禾晶元自主研发的SAB61系列产品：【全自动超高真空常温键合设备】顺利完成客户预验收测试，正式交付海外某半导体客户并入驻其产线。

此次交付的产线对设备稳定性、精度和工艺一致性要求极高，这标志着公司【超高真空常温键合设备】的综合性能获得了国际高端市场的认可。

青禾晶元总部发货现场

客户接收现场

技术核心：超高真空常温键合工艺

超高真空常温键合设备采用超高真空离子束轰击技术活化材料表面，无需加热或退火即可实现牢固共价键。键合强度高，支持异质材料（如SiC、Ga₂O₃、金刚石）键合，无热应力、无界面氧化层。应用领域涵盖复合衬底、MEMS、高散热需求的异质集成、多节太阳能电池、光学晶体集成、柔性电子等。

典型键合材料

核心优势：直面高端制造的核心挑战

常温键合工艺

采用常温键合技术，全过程无需加热，避免热应力影响，完美兼容2-12英寸Si、SiC、GaN等热敏感材料。

高强度键合界面

通过表面活化与超高真空技术，实现高强度键合（≥2.0J/m²@Si-Si键合）。键合界面洁净无氧化，展现出卓越的界面质量和长期可靠性。

精密工艺控制

配备高精度对准系统，实现Mark对准≤±2μm的精准定位。结合±1%的精密度压力控制，确保工艺一致性和稳定性。

稳定量产能力

采用全自动化传输系统，在保持高精度的同时实现≥6 pairs/h的稳定产能，充分满足工业化量产需求。

此次SAB6110设备的成功交付，是青禾晶元在国际化战略推进中的重要里程碑。公司将继续秉持技术创新理念，为全球半导体产业提供更优质、更可靠的设备解决方案，助力客户在先进制造领域取得更大突破。